xEVの電費改善に貢献！三菱電機が「第5世代SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始

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三菱電機、xEVの電費改善に貢献する「第5世代SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始
パワー半導体「SiC」が担う脱炭素社会への貢献
新製品の主な特長
1. 1. 業界トップクラスの低オン抵抗でxEVの航続距離延伸・電費改善に貢献
2. 2. 独自の製造プロセス技術でxEVの性能維持に貢献
製品仕様
今後の展望

三菱電機、xEVの電費改善に貢献する「第5世代SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始

三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターやeAxleに使用される、新しいSiC-MOSFETチップ2品種のサンプル提供を2026年6月下旬から順次開始すると発表しました。

この新しい「第5世代SiC-MOSFETチップ」は、独自のトレンチ構造を採用し、従来品と比較してオン抵抗を約25％低減することで、業界トップクラスの低オン抵抗を実現しています。これにより、xEV用インバーターの性能向上と小型化が可能となり、xEVの航続距離延伸や電費改善に貢献することが期待されます。

パワー半導体「SiC」が担う脱炭素社会への貢献

近年、脱炭素社会の実現に向けて、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大しています。特に自動車分野では、温室効果ガス低減のための自動車の電動化が進む中、モーター駆動におけるインバーターなどの電力変換機器に使用されるパワー半導体の需要が増加しています。電力損失を大幅に低減できるSiC（炭化ケイ素）パワー半導体には、大きな期待が寄せられています。

三菱電機は、1997年にxEV用パワー半導体モジュールの量産を開始して以来、インバーターの小型化に向けた課題解決に取り組んできました。2010年にはSiCパワー半導体モジュールを製品化し、エアコンや産業用機器、鉄道車両など幅広い分野での低消費電力化に貢献しています。

新製品の主な特長

1. 業界トップクラスの低オン抵抗でxEVの航続距離延伸・電費改善に貢献

新たに開発された独自のトレンチ構造であるFSC構造と、斜め方向からのイオン注入技術により、従来のトレンチ型よりもセル密度を高め、電流が流れやすくなりました。これにより、業界トップクラスの低オン抵抗を実現しています。

従来のトレンチ型SiC-MOSFETと比較して、オン抵抗を約25%低減することに成功しました。この低オン抵抗化は、xEV用インバーターの性能向上と小型化を可能にし、結果としてxEVの航続距離延伸や電費改善に大きく貢献します。

2. 独自の製造プロセス技術でxEVの性能維持に貢献

独自の製造技術により、ボディダイオード通電による性能劣化が抑制され、品質の安定性が向上しています。また、プレーナー型やトレンチ型SiC-MOSFET、SiC-SBDで20年以上の研究・製造実績で培われた、SiC独自の工程管理や独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術を新開発のトレンチ型SiC-MOSFETに応用しています。

これにより、スイッチングのオン・オフ動作によって発生する電力損失やオン抵抗などの変動が抑制されます。長期間の使用においても安定した品質が実現され、xEV用インバーターやeAxleの耐久性確保を通じて、xEVの性能維持に貢献するとしています。

製品仕様

新製品の主な仕様は以下の通りです。

形名	WF0007Q-1200AA	WF0005Q-0750AA
用途	xEV 用	xEV 用
定格電圧	1200V	750V
オン抵抗	6.8mΩ	4.8mΩ
表面電極仕様	はんだ接合に対応	はんだ接合に対応
裏面電極仕様	はんだ接合、Ag 焼結接合に対応	はんだ接合、Ag 焼結接合に対応
サンプル価格(税込み)	個別見積もりによる	個別見積もりによる
サンプル提供開始日	2026年6月下旬	2026年7月下旬
環境への貢献	RoHS指令に準拠	RoHS指令に準拠