NANDフラッシュメモリ市場、2035年に1,199.5億米ドルへ拡大予測 – AI・データセンター向けSSD需要が成長を加速

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AIインフラ投資がストレージ需要の質を変える
技術革新と競争力の変化
主要な市場ハイライト
日本の半導体政策と産業基盤強化
NANDフラッシュメモリのセグメンテーション
主要企業のリスト
レポート詳細情報

AIインフラ投資がストレージ需要の質を変える

市場拡大の背景には、データセンターの大型化、生成AIの推論処理拡大、企業システムのデータ蓄積量増加といった構造的要因があります。特に2026年には、AIサーバー向け大容量記憶装置の需要が強く、供給制約も重なり、企業向けSSDの価格上昇につながっています。今後、市場の焦点は、データセンター向けなど投資余力の大きい顧客層へ需要が集中するかに移ると考えられます。

技術革新と競争力の変化

NANDフラッシュメモリ市場は、継続的な技術進歩と幅広い業界での需要増に牽引されています。AI、クラウドコンピューティング、5Gネットワーク、エッジコンピューティング、データセンターインフラの急速な拡大により、大容量、高速、エネルギー効率に優れたストレージソリューションへの需要が大幅に高まっています。300層を超える3D NANDアーキテクチャ、QLCおよびPLC NAND技術、改良されたコントローラ設計、高度なパッケージング技術などのイノベーションにより、ストレージ密度の向上、消費電力の低減、耐久性の向上、ビットあたりのコスト削減が可能になっています。

技術競争においては、三次元積層の高度化、高容量化、次世代接続規格への対応が製品価値を左右しています。AI基盤のデータ処理を支える記憶階層として性能を高めることが求められ、製造企業には、微細化だけでなく、歩留まり、消費電力、信頼性、冷却要件まで含めた総合的な開発力が求められています。

主要な市場ハイライト

NANDフラッシュメモリ市場は、2025年の782億米ドルから2035年までに1,199.5億米ドルへと拡大し、2026年から2035年にかけて年平均成長率（CAGR）4.37％を記録すると予測されています。
半導体メーカーは、ストレージ密度の向上、ビットあたりのコスト削減、耐久性の向上、消費電力の低減を図るため、次世代3D NAND、QLC、高層アーキテクチャ、および先進的なパッケージング技術に注力しています。こうした進歩により、AIデータセンター、スマートフォン、自動車システム、産業用オートメーション、およびエンタープライズストレージアプリケーションにおいて、NANDフラッシュメモリの採用がさらに広がっています。
アジア太平洋地域は、半導体製造能力、拡大するエレクトロニクス生産、スマートフォンの普及、AIインフラとクラウドコンピューティングへの投資増加に支えられ、予測期間中にNANDフラッシュメモリ市場を牽引すると予想されます。中国、日本、韓国、インドなどの国々は、先進的な半導体開発とストレージ技術の革新を通じて、地域内の需要を引き続き強化しています。

日本の半導体政策と産業基盤強化

日本では、経済産業省が半導体の安定供給と国内製造基盤の強化を進めており、記憶半導体関連計画も支援対象として認定されています。2025年には、生成AIの利用拡大による計算需要の増加を踏まえ、半導体やデータセンターなどのハードウェアとAIを組み合わせた産業基盤を強化する法改正が施行されました。2026年6月には半導体・デジタル産業戦略も改訂され、AI、半導体、データ、計算基盤などを一体化したエコシステム構築が政策課題として明確化されています。

キオクシアとサンディスクは、政府支援を前提として2032年までに日本で総額約5兆円を投資する計画を公表しており、岩手県北上市では第10世代3Dフラッシュメモリの生産も開始されています。これは、メモリメーカーだけでなく、半導体製造装置、材料、ウエハー、検査・計測、工場自動化など周辺産業にも中長期的な需要を波及させる可能性があります。